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BUK9E2R3-40E

更新时间： 2024-09-25 21:10:19

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恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
1页	73K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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BUK9E2R3-40E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	622 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.0025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	988 A
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9E2R3-40E 数据手册

Thermal RC network (Foster)

SPICE thermal model

BUK9E1R8-40E

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

R_th(j-mb)

thermal resistance

from junction to

mounting base

0.43

K/W

Cth₁

Cth₂

2.727E-04 F

1.961E-03 F

1.472E-03 F

5.515E-03 F

1.889E-02 F

3.370E-02 F

7.373E-01 F

2.812E+02 F

Cth₃

Cth₄

Cth₅

Cth₆

Cth₇

Cth₈

Rth₁

Rth₂

3.269E-04 Ω

6.428E-04 Ω

7.505E-03 Ω

1.817E-02 Ω

6.176E-02 Ω

2.678E-01 Ω

7.287E-02 Ω

6.467E-04 Ω

Rth₃

Rth₄

Rth₅

Rth₆

Rth₇

Rth₈

Part:

BUK9E1R8-40E

Date:

Rth

11/4/2013

0.43

K/W

or contract, is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any consequence of it’s use. Publication thereof does

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Printed in the Netherlands

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