Datasheet > BUK9E2R8-60E

BUK9E2R8-60E

更新时间： 2024-09-25 21:11:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
13页	213K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK9E2R8-60E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	655 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.0028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	952 A
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9E2R8-60E 数据手册

BUK9E2R8-60E

N-channel TrenchMOS logic level FET

11 September 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel MOSFET in a SOT226 package using TrenchMOS technology.

This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high

performance automotive applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5V at 175 °C

•

1.3 Applications

12 V Automotive systems

•

Motors, lamps and solenoid control

Start-Stop micro-hybrid applications

Transmission control

Ultra high performance power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C; Fig. 1

[1]

120

349

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; Fig. 2

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C; Fig. 11

2.2

2.8

mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; V_DS= 48 V;

Fig. 13; Fig. 14

41.2

[1] Continuous current is limited by package.

Scan or click this QR code to view the latest information for this product

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与BUK9E2R8-60E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9E2R8-60E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E3R2-40B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9E3R2-40B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E3R2-40E	NXP	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
BUK9E3R2-40E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E3R7-60E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E4R4-40B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9E4R4-80E	NXP	获取价格	TRANSISTOR 120 A, 80 V, 0.0044 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-26
BUK9E4R4-80E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E4R9-60E	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 A, 60 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-26

与BUK9E2R8-60E相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

6
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

8
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9E2R8-60E

BUK9E2R8-60E 技术参数

BUK9E2R8-60E 数据手册

与BUK9E2R8-60E相关器件

与BUK9E2R8-60E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9E2R8-60E

BUK9E2R8-60E 技术参数

BUK9E2R8-60E 数据手册

与BUK9E2R8-60E相关器件

与BUK9E2R8-60E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？