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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.2 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1100 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 154 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0067 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 616 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9E06-55B | NXP |
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N-channel TrenchMOS FET |
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| BUK9E06-55B,127 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin |
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| BUK9E08-55B | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BUK9E08-55B | NXP |
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75A, 55V, 0.0093ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 |
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| BUK9E08-55B,127 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin |
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| BUK9E2R3-40E | NXP |
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TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| BUK9E2R3-40E,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin |
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| BUK9E2R4-40C | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9E2R8-60E | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| BUK9E2R8-60E,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin |
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