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BUK9E08-55B

更新时间： 2024-11-13 21:21:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
14页	157K
描述
75A, 55V, 0.0093ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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BUK9E08-55B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	PLASTIC, TO-262, I2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	352 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0093 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	203 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	439 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9E08-55B 数据手册

BUK9E08-55B

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 03 — 31 May 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Low conduction losses due to low

 Suitable for logic level gate drive

on-state resistance

sources

 Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V and 24 V loads

 Automotive systems

 General purpose power switching

 Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

203

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

6.2

7.1

mΩ

on-state

resistance

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

8.4

see Figure 11; see Figure 12

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9E08-55B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E2R3-40E	NXP	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
BUK9E2R3-40E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E2R4-40C	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9E2R8-60E	NXP	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
BUK9E2R8-60E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E3R2-40B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9E3R2-40B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin
BUK9E3R2-40E	NXP	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
BUK9E3R2-40E,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin

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