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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 最大降落时间（tf）： | 8000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 4.5 V | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK856-800 | NXP |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT |
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| BUK856-800A | NXP |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT |
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| BUK866-400IZ | NXP |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor Protected Logic-Level IGBT |
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| BUK866-400IZ/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 20 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| BUK866-400IZT/R | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | SOT-404 |
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| BUK9006-55A | NXP |
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N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor |
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| BUK9107-40ATC | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchPLUS logic level FET |
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| BUK9107-40ATC,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchPLUS logic level FET D2PAK 5-Pin |
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| BUK9107-55ATE | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchPLUS logic level FET |
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| BUK9107-55ATE,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchPLUS logic level FET D2PAK 5-Pin |
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