BUK9207-30B

更新时间： 2024-10-01 03:23:43

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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TrenchMOS logic level FET

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BUK9207-30B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	329 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	185 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	449 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9207-30B 数据手册

BUK9207-30B

TrenchMOS™ logic level FET

Rev. 02 — 12 December 2003

Product data

M3D300

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Very low on-state resistance

■ 185 °C rated

■ Q101 compliant

■ Logic level compatible.

1.3 Applications

■ Automotive systems

■ 12 V loads

■ Motors, lamps and solenoids

■ General purpose power switching.

1.4 Quick reference data

■ E_DS(AL)S≤ 329 mJ

■ I_D≤ 75 A

■ R_DSon= 5.9 mΩ (typ)

■ P_tot≤ 167 W.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT428 (D-PAK), simpliﬁed outline and symbol

Pin Description

Simpliﬁed outline

Symbol

gate (g)

[1]

drain (d)

source (s)

mb mounting base;

connected to

MBB076

drain (d)

Top view

MBK091

SOT428 (D-PAK)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package.

12 3 4 5 6 7...12

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