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BUK9217-75B

更新时间： 2024-10-01 20:58:47

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恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
16页	191K
描述
TRANSISTOR 64 A, 75 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3, FET General Purpose Power

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BUK9217-75B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	PLASTIC, SC-63, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.22	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE.
雪崩能效等级（Eas）：	147 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	64 A	最大漏极电流 (ID)：	64 A
最大漏源导通电阻：	0.019 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	185 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	167 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	256 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9217-75B 数据手册

BUK9217-75B

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 02 — 3 February 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Suitable for logic level gate drive

sources

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for thermally demanding

environments due to 185 °C rating

1.3 Applications

12 V, 24 V and 42 V loads

Automotive systems

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 185 °C

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

167

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C

13.4 15

14.4 17

mΩ

resistance

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 10; see Figure 11

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

I_D= 64 A; V_sup≤ 75 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 5 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

147 mJ

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; V_DS= 60 V;

T_j= 25 °C; see Figure 12

12 3 4 5 6 7...16

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