BUK9226-75A

更新时间： 2024-10-01 22:17:31

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管
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13页	272K
描述
TrenchMOS logic level FET

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BUK9226-75A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	PLASTIC, SC-63, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A
最大漏极电流 (ID)：	45 A	最大漏源导通电阻：	0.029 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	114 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	182 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9226-75A 数据手册

BUK9226-75A

TrenchMOS™ logic level FET

Rev. 01 — 10 October 2000

Product speciﬁcation

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology, featuring very low on-state resistance.

Product availability:

BUK9226-75A in SOT428 (D-PAK).

2. Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Q101 compliant

■ 175 °C rated

■ Logic level compatible.

3. Applications

■ Automotive and general purpose power switching

◆ 12 V, 24 V and 42 V loads

◆ Motors, lamps and solenoids.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT428 (D-PAK), simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

drain (d)

source (s)

mounting base;

connected to

drain (d)

MBB076

Top view

MBK091

SOT428 (D-PAK)

1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

12 3 4 5 6 7...13

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