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BUK9214-30A,118

更新时间： 2024-10-01 14:48:11

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恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
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14页	197K
描述
BUK9214-30A - N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin

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BUK9214-30A,118 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DPAK
包装说明：	PLASTIC, SC-63, DPAK-3/2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	230 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	63 A
最大漏源导通电阻：	0.0155 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	253 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9214-30A,118 数据手册

BUK9214-30A

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 3 — 14 June 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Low conduction losses due to low

 Suitable for logic level gate drive

on-state resistance

sources

 Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V loads

 Motors, lamps and solenoids

 Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

I_D

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C; see Figure 1;

see Figure 3

P_tot

total power dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

107

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C

15.5

mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 11; see Figure 12

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; V_DS= 24 V;

T_j= 25 °C; see Figure 13

12.2

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive drain-source

avalanche energy

I_D= 63 A; V_sup≤ 30 V; R_GS= 50 Ω;

V_GS= 5 V; T_j(init)= 25 °C; unclamped

230

12 3 4 5 6 7...14

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