是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.72 |
雪崩能效等级(Eas): | 467 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 55 A | 最大漏极电流 (ID): | 55 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0144 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 311 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STD18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P | |
STD86N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUK9213-30A,118 | NXP |
获取价格 |
BUK9213-30A - N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin | |
BUK9214-30A | NXP |
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TrenchMOS logic level FET | |
BUK9214-30A,118 | NXP |
获取价格 |
BUK9214-30A - N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin | |
BUK9214-75B | NXP |
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TrenchMOS logic level FET | |
BUK92150-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET | |
BUK9215-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET | |
BUK9215-55A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin | |
BUK9215-55A/T3 | NXP |
获取价格 |
55A, 55V, 0.0166ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3 | |
BUK9217-75B | NXP |
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TRANSISTOR 64 A, 75 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DP | |
BUK9219-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |