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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 55 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 55 A | 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 114 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 219 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9219-55A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin |
|
| BUK9219-55A/C,118 | NXP |
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BUK9219-55A - N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK9222-55A | NXP |
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TrenchMOS logic level |
|
| BUK9222-55A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin |
|
| BUK9222-55A,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin |
|
| BUK9225-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level |
|
| BUK9225-55A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin |
|
| BUK9226-100B | NXP |
获取价格 |
48A, 100V, 0.029ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK- |
|
| BUK9226-75A | NXP |
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TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9226-75A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin |
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