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BUK9107-40ATC

更新时间： 2024-01-26 12:20:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 248K
描述
N-channel TrenchPLUS logic level FET

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BUK9107-40ATC 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.77Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：272 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

BUK9107-40ATC 数据手册

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BUK9107-40ATC  
N-channel TrenchPLUS logic level FET  
Rev. 04 — 16 February 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. The devices include TrenchPLUS diodes for  
clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature sensing. This  
product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in  
automotive critical applications.  
1.2 Features and benefits  
„ Allows responsive temperature  
monitoring due to integrated  
temperature sensor  
„ Low conduction losses due to low  
on-state resistance  
„ Q101 compliant  
1.3 Applications  
„ 12 V and 24 V high power motor  
„ Electrical Power Assisted Steering  
drives  
(EPAS)  
„ Automotive and general purpose  
„ Protected drive for lamps  
power switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
ID  
drain current  
VGS = 5 V; Tmb = 25 °C; see Figure 2;  
see Figure 3  
[1]  
-
-
140  
A
Ptot  
Tj  
total power dissipation  
junction temperature  
Tmb = 25 °C; see Figure 1  
-
-
272  
175  
6.2  
7.7  
7
W
-55  
-
°C  
RDSon  
drain-source on-state  
resistance  
VGS = 10 V; ID = 50 A; Tj = 25 °C  
VGS = 4.5 V; ID = 50 A; Tj = 25 °C  
-
-
-
5.2  
6
mΩ  
mΩ  
mΩ  
VGS = 5 V; ID = 50 A; Tj = 25 °C;  
see Figure 7; see Figure 8  
5.8  
SF(TSD) temperature sense diode  
temperature coefficient  
IF = 250 µA; Tj > -55 °C; Tj < 175 °C  
-1.4  
648  
-1.54 -1.68 mV/K  
658 668 mV  
VF(TSD) temperature sense diode  
forward voltage  
IF = 250 µA; Tj = 25 °C  
[1] Current is limited by power dissipation chip rating.  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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