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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK9120-48TC
BUK9120-48TC PDF预览

BUK9120-48TC

更新时间： 2024-09-30 22:17:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 88K
描述
PowerMOS transistor Voltage clamped logic level FET with temperature sensing diodes

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BUK9120-48TC 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：52 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：300 pFJESD-30 代码：R-PSSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：116 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：208 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：145 ns最大开启时间（吨）：98 ns
Base Number Matches：1

BUK9120-48TC 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PowerMOS transistor  
BUK9120-48TC  
Voltage clamped logic level FET  
with temperature sensing diodes  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Protected N-channel enhancement  
mode logic level field-effect power  
transistor in a plastic envelope  
suitable for surface mounting. Using  
’trench’ technology the device  
features very low on-state resistance  
and has integral zener diodes giving  
ESD protection up to 2kV and active  
drainvoltage clamping. Temperature  
sensitive diodes are incorporated for  
monitoring chip temperature.  
SYMBOL PARAMETER  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
V(CL)DSR  
ID  
Ptot  
Tj  
RDS(ON)  
Drain-source clamp voltage  
Drain current (DC)  
40  
45  
55  
52  
V
A
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
resistance; VGS = 5 V  
Forward voltage,temperature  
sense diodes  
116  
175  
20  
W
˚C  
mΩ  
VF  
685  
710  
1.4  
735  
mV  
-SF  
Negative temperature  
coefficient, temperature sense  
diodes  
1.26  
1.54 mV/K  
The device is intended for use in  
automotive and general purpose  
switching applications.  
PINNING - SOT426  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
T1  
T2  
gate  
T1  
mb  
2
3
(connected to mb)  
g
3
4
T2  
s
1 2  
4 5  
5
source  
Fig. 1.  
Fig. 2.  
mb drain  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDG  
±VGS  
ID  
ID  
ID  
Drain-source voltage  
continuous  
continuous  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 140 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
-
-
-
-
-
40  
38  
10  
52  
37  
V
V
V
A
A
A
A
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (DC)  
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak  
value)  
25  
208  
IDM  
Ptot  
IGD  
IGS  
VTS  
Tstg  
Tj  
Total power dissipation  
Drain-gate clamp current  
Gate-source clamp current  
Source T1/T2 voltage  
Storage temperature  
Junction temperature  
Tmb = 25 ˚C  
5ms pulse; ∆ = 0.01  
5ms pulse; ∆ = 0.01  
-
-
-
-
-
-
116  
50  
50  
±100  
175  
175  
W
mA  
mA  
V
˚C  
˚C  
-
- 55  
- 55  
February 1998  
1
Rev 1.100  
1234567...9

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