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BUK9006-55A

更新时间： 2024-01-23 14:21:58

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	211K
描述
N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor

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BUK9006-55A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	1100 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	125 A	最大漏极电流 (ID)：	125 A
最大漏源导通电阻：	0.006 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XUUC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	503 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9006-55A 数据手册

BUK9006-55A

TrenchMOS™ logic level FET

Rev. 01 — 1 August 2003

Preliminary data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor available as a bare die

using Philips General Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS™ technology.

Product availability:

BUK9006-55A distributed as individual die on reel.

1.2 Features

■ 25 A testing of individual die

■ Life-tested to Q101 at 175 °C

■ Inductive energy testing of individual ■ Automatic visual inspection.

die

1.3 Applications

■ Automotive systems

■ Motors, lamps and solenoids

■ 12 V and 24 V loads

■ General purpose power switching.

1.4 Quick reference data

■ E_DS(AL)S≤ 1.1 J

■ V_(BR)DSS≤ 55 V

■ R_DSon(die)= 5 mΩ (typ)

■ V_GS(th)= 1.5 V (typ)

■ Die size = 4.30 × 4.30 mm (typ)

■ Die thickness = 240 µm (typ).

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - Bare die simpliﬁed outline and symbol

Description Simpliﬁed outline

Symbol

gate

source

drain; connected to

underside of die

MBB076

03nn81

12 3 4 5 6 7...10

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