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BUK866-400IZ/T3

更新时间: 2024-02-04 04:34:50
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 汽车点火双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 307K
描述
TRANSISTOR 20 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

BUK866-400IZ/T3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
其他特性:LOGIC LEVEL, VOLTAGE CLAMPING外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:500 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):19000 nsBase Number Matches:1

BUK866-400IZ/T3 数据手册

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