是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DPAK | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.19 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 8 A |
集电极-发射极最大电压: | 400 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 13 | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 80 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BUJ105AX | NXP | Silicon Diffused Power Transistor |
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BUJ106A | NXP | Silicon Diffused Power Transistor |
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BUJ106A | WEEN | High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT78 (TO22 |
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BUJ106AX | NXP | Silicon Diffused Power Transistor |
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BUJ202A | NXP | Silicon Diffused Power Transistor |
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BUJ202AX | NXP | Silicon Diffused Power Transistor |
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