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BUJ302AX

更新时间： 2024-01-03 00:44:02

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飞利浦 - PHILIPS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	19K
描述
Transistor

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BUJ302AX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-220F
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUJ302AX 数据手册

Philips Semiconductors

Objective specification

Silicon Diffused Power Transistor

BUJ302AX

GENERAL DESCRIPTION

High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a plastic full-pack envelope intended

for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor

control systems, etc.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP. MAX. UNIT

V_CESM

V_CBO

V_CEO

I_C

Collector-emitter voltage peak value

V_BE= 0 V

1000

500

Collector-Base voltage (open emitter)

Collector-emitter voltage (open base)

Collector current (DC)

I_CM

Collector current peak value

Total power dissipation

Collector-emitter saturation voltage

Fall time

P_tot

V_CEsat

t_f

T_mb≤ 25 ˚C

1.0

160

I_C= 1.0 A;I_B= 0.2 A

Ic=1A,I_B1=0.2A

145

PINNING - SOT186A

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

case

base

collector

emitter

case isolated

2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. MAX. UNIT

V_CESM

V_CEO

V_CBO

I_C

Collector to emitter voltage

V_BE= 0 V

1000

500

1000

Collector to emitter voltage (open base)

Collector to base voltage (open emitter)

Collector current (DC)

I_CM

Collector current peak value

Base current (DC)

I_B

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

0.75

150

Base current peak value

Total power dissipation

T_mb≤ 25 ˚C

˚C

Storage temperature

-65

Junction temperature

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP. MAX. UNIT

R_{th j-mb}

R_{th j-a}

Junction to mounting base

Junction to ambient

7.2

K/W

in free air

August 1998

Rev 1.000

12 3 4

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