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BUJ302AX,127

更新时间： 2024-01-10 09:40:35

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恩智浦 - NXP		/
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13页	508K
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BUJ302AX

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BUJ302AX,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.67	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUJ302AX,127 数据手册

BUJ302AX

220F

NPN power transistor

Rev. 02 — 28 March 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

High-voltage, high-speed planar-passivated NPN power switching transistor in a

SOT186A (TO-220F) plastic package.

1.2 Features and benefits

Fast switching

Isolated package

High voltage capability

Low thermal resistance

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Inverters

High-frequency electronic lighting

Motor control systems

ballast applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

collector current

see Figure 1; see Figure 2;

see Figure 4

P_tot

total power

dissipation

T_h≤ 25 °C; see Figure 3

V_CESM

collector-emitter

peak voltage

V_BE= 0 V

1050 V

Static characteristics

h_FEDC current gain

I_C= 0.1 A; V_CE= 5 V; T_h= 25 °C;

see Figure 11

100

I_C= 0.8 A; V_CE= 3 V; T_h= 25 °C;

see Figure 12

12 3 4 5 6 7...13

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