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BUJ302A,127

更新时间： 2024-11-12 19:59:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	509K
描述
BUJ302A

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BUJ302A,127 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	最大集电极电流 (IC)：	4 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

BUJ302A,127 数据手册

BUJ302A

-220AB

NPN power transistor

Rev. 02 — 28 March 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

High-voltage, high-speed planar-passivated NPN power switching transistor in a SOT78

(TO-220AB) plastic package.

1.2 Features and benefits

Fast switching

Low thermal resistance

High voltage capability

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Inverters

High-frequency electronic lighting

Motor control systems

ballast applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

collector current

see Figure 1; see Figure 2;

see Figure 4

P_tot

total power dissipation

T_mb≤ 25 °C; see Figure 3

V_CESM

collector-emitter peak

voltage

V_BE= 0 V

1050 V

Static characteristics

h_FEDC current gain

[1]

I_C= 0.1 A; V_CE= 5 V;

100

T_mb= 25 °C; see Figure 11

I_C= 0.8 A; V_CE= 3 V;

T_mb= 25 °C; see Figure 12

[1] Pulse test: pulse duration ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %

12 3 4 5 6 7...13

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