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BUJ202A

更新时间： 2024-11-28 22:17:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 22K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BUJ202A 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.73
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：450 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：14JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUJ202A 数据手册

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Philips Semiconductors  
Objective specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BUJ202A  
GENERAL DESCRIPTION  
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in TO220AB envelope intended for use  
in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control  
systems, etc.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
-
850  
850  
450  
2
V
V
Collector-Base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
V
-
A
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Fall time  
-
3
Ptot  
VCEsat  
tf  
Tmb ≤ 25 ˚C  
-
40  
1.0  
150  
W
V
IC = 1.0 A;IB = 0.2 A  
Ic=1A,IB1=0.2A  
-
88  
ns  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
tab  
base  
2
collector  
emitter  
b
3
tab collector  
e
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
VCBO  
IC  
Collector to emitter voltage  
VBE = 0 V  
-
850  
450  
850  
2
V
V
Collector to emitter voltage (open base)  
Collector to base voltage (open emitter)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
3
A
IB  
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
0.75  
1
40  
150  
150  
A
Base current peak value  
Total power dissipation  
-
-
A
Tmb ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
Storage temperature  
-65  
-
Junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Junction to mounting base  
Junction to ambient  
-
2.5  
-
K/W  
K/W  
in free air  
70  
August 1998  
1
Rev 1.000  
1234

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