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BUJ105AD,118

更新时间： 2024-01-12 04:12:27

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恩智浦 - NXP		开关晶体管
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13页	131K
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BUJ105AD

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BUJ105AD,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DPAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	13	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUJ105AD,118 数据手册

BUJ105AD

NXP Semiconductors

Silicon diffused power transistor

Con

90 %

10 %

DUT

off

001aab989

Bon

10 %

V_IM= 6 V to +8 V; V_CC= 250 V; t_p= 20 s;

 = t_p/T = 0.01.

t ≤ 30 ns

−I

Boff

R_Band R_Lcalculated from I_Conand I_Bonrequirements.

001aab990

Fig 5. Test circuit for resistive load switching

Fig 6. Switching times waveforms for resistive load

Con

90 %

10 %

Bon

DUT

off

001aab991

Bon

−I

Boff

001aab992

V_CC= 300 V; V_BB= 5 V; L_C= 200 H; L_B= 1 H.

Fig 7. Test circuit for inductive load switching

Fig 8. Switching times waveforms for inductive load

BUJ105AD

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Product data sheet

Rev. 2 — 3 November 2011

5 of 13

1 2 3 456 7 8...13

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