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BUJ105AX

更新时间： 2024-11-28 22:17:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
7页 79K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BUJ105AX 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：13JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：32 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUJ105AX 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BUJ105AX  
GENERAL DESCRIPTION  
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a plastic full-pack envelope intended  
for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor  
control systems, etc.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
-
700  
700  
400  
8
V
V
V
A
A
W
V
Collector-Base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
-
16  
Ptot  
Ths ≤ 25 ˚C  
-
32  
VCEsat  
hFEsat  
tf  
IC = 4.0 A;IB = 0.8 A  
IC = 4.0 A; VCE = 5 V  
IC = 5 A; IB1 = 1.0A  
0.3  
11  
20  
1.0  
15  
Fall time  
50  
ns  
PINNING - SOT186A  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
case  
base  
2
collector  
emitter  
b
3
case isolated  
1
2 3  
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
VCBO  
IC  
Collector to emitter voltage  
VBE = 0 V  
-
700  
400  
700  
8
V
V
Collector to emitter voltage (open base)  
Collector to base voltage (open emitter)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
Base current peak value  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction temperature  
-
16  
4
A
IB  
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
A
-
-
8
A
Ths ≤ 25 ˚C  
32  
150  
150  
W
˚C  
˚C  
-65  
-
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Rth j-a  
Junction to mounting base  
Junction to ambient  
With heatsink compound  
in free air  
-
3.95  
-
K/W  
K/W  
55  
February 1999  
1
Rev 1.000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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