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BUJ302AX

更新时间： 2024-09-25 17:01:07

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瑞能 - WEEN		/
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12页	788K
描述
High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT186A (TO-220F) "full pack" plastic package.

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BUJ302AX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-220F
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUJ302AX 数据手册

BUJ302AX

NPN power transistor

9 October 2018

Product data sheet

1. General description

High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT186A

(TO-220F) "full pack" plastic package.

2. Features and benefits

•

Fast switching

•

Isolated package

Low thermal resistance

Very high voltage capability

Very low switching and conduction losses

3. Applications

•

DC-to-DC converters

High frequency electronic lighting ballasts

Inverters

Motor control systems

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

I_CM

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

peak collector current Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3

total power dissipation T_h≤ 25 °C; Fig. 4

P_tot

V_CESM

collector-emitter peak V_BE= 0 V

voltage

1050

Static characteristics

h_FEDC current gain

I_C= 0.1 A; V_CE= 5 V; T_h= 25 °C;

Fig. 11

100

I_C= 0.8 A; V_CE= 3 V; T_h= 25 °C;

Fig. 12

12 3 4 5 6 7...12

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