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| 瑞能 - WEEN |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 9页 | 335K |  |
| 描述 | ||
| High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT78 (TO220AB) plastic package intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc. | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SC-46, SOT-78, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 14 |
| 最大降落时间（tf）： | 350 ns | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | IEC-134 |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 3650 ns | 最大开启时间（吨）： | 750 ns |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUJ106AX | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ202A | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ202AX | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ204A | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ204AX | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ205A | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ205AX | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ301A | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ301AX | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ302 | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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