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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BUJ301AX
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BUJ301AX

更新时间： 2024-11-26 22:17:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 25K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BUJ301AX 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：500 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：32 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUJ301AX 数据手册

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Philips Semiconductors  
Objective specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BUJ301AX  
GENERAL DESCRIPTION  
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a plastic full-pack envelope intended  
for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor  
control systems, etc.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1000  
1000  
500  
0.5  
1
V
V
Collector-Base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Fall time  
-
Ptot  
VCEsat  
tf  
Tmb ≤ 25 ˚C  
-
-
32  
W
V
IC = 0.2 A;IB =20m A  
Ic=0.2A,IB1=20mA  
1.0  
160  
145  
ns  
PINNING - SOT186A  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
case  
base  
2
collector  
emitter  
b
3
case isolated  
1
2 3  
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
VCBO  
IC  
Collector to emitter voltage  
VBE = 0 V  
-
1000  
500  
1000  
0.5  
1
0.2  
0.3  
32  
150  
150  
V
V
Collector to emitter voltage (open base)  
Collector to base voltage (open emitter)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
A
IB  
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
A
Base current peak value  
Total power dissipation  
-
-
A
Tmb ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
Storage temperature  
-65  
-
Junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Junction to mounting base  
Junction to ambient  
-
3.95  
-
K/W  
K/W  
in free air  
55  
August 1998  
1
Rev 1.000  
1234

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