BUH313

更新时间： 2024-09-17 09:02:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管开关高压
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7页	87K
描述
HIGH VOLTAGE FASTSWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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BUH313 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.44	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5.5
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUH313 数据手册

BUH313

HIGH VOLTAGE FASTSWITCHING NPN

POWER TRANSISTOR

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE

(U.L. FILE # E81734 (N)).

APPLICATIONS:

■

HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR

■

SWITCH MODE POWER SUPPLIES

ISOWATT218

DESCRIPTION

The BUH313 is manufactured using Multiepitaxial

Mesa technology for cost-effective high

performance and uses a Hollow Emitter structure

to enhanceswitching speeds.

The BUH series is designed for use in horizontal

deflection circuits in televisions and monitors.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

1300

600

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

I_B

I_BM

Base Peak Current (t_p< 5 ms)

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Storage Temperature

P_tot

^oC

T_stg

T_j

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/7

June 1996

12 3 4 5 6 7

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