BUH315D

更新时间： 2024-11-07 06:44:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	109K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUH315D 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BUH315D 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUH315D

DESCRIPTION

·High Switching Speed

·High Voltage

·Built-in Integrated Diode

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflection circuits in TV’s

and monitors.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

VALUE

UNIT

1500

700

I_CM

I_B

I_BM

Base Current-Peak

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T_J

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

2.8

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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