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BTD2057A3

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	161K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

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BTD2057A3 数据手册

Spec. No. : C855A3-A

Issued Date : 2005.04.29

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/4

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

BTD2057A3

Description

• High BV_CEO

• High current capability

• Pb-free package

Symbol

Outline

BTD2057A3

TO-92

B：Base

C：Collector

E：Emitter

E C B

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Power Dissipation @TA=25℃

VCBO

VCEO

VEBO

200

1.5

ICP

750

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

150

-55~+150

°C

BTD2057A3

CYStek Product Specification

12 3 4

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