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BTD2150L3

更新时间： 2024-01-14 01:56:03

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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描述
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

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BTD2150L3 数据手册

Spec. No. : C848L3

Issued Date : 2004.10.07

Revised Date : 2204.11.15

Page No. : 1/4

CYStech Electronics Corp.

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

BTD2150L3

Features

• Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 2A / 0.2A

• Excellent current gain characteristics

• Complementary to BTB1424L3

Symbol

Outline

BTD2150L3

SOT-223

B：Base

C：Collector

E：Emitter

B C E

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

VEBO

Power Dissipation @TC=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

150

-55~+150

°C

BTD2150L3

CYStek Product Specification

12 3 4

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