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BTD2150N3

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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4页	173K
描述
Low VCE(sat) NPN Epitaxial Planar Transistor

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BTD2150N3 数据手册

Spec. No. : C848N3-A

Issued Date : 2004.03.26

Revised Date : 2004.11.08

Page No. : 1/4

CYStech Electronics Corp.

Low V_CE(sat)NPN Epitaxial Planar Transistor

BTD2150N3

Features

• Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.1A

• Excellent current gain characteristics

• Complementary to BTB1424N3

Symbol

Outline

BTD2150N3

SOT-23

B：Base

C：Collector

E：Emitter

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Power Dissipation

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

(Note 1)

°C/W

°C

225

556

150

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction Temperature

RθJA

Storage Temperature

Tstg

-55~+150

°C

≦

Note : 1. Single Pulse Pw 350µs, Duty 2%.

BTD2150N3

CYStek Product Specification

12 3 4

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