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BTD2118LJ3

更新时间： 2024-01-02 05:11:54

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全宇昕 - CYSTEKEC		电子
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描述
CYStech Electronics Corp.

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BTD2118LJ3 数据手册

Spec. No. : C850J3

Issued Date : 2004.02.27

Revised Date :2005.10.04

Page No. : 1/4

CYStech Electronics Corp.

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

BTD2118LJ3

Features

• Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A

• Excellent DC current gain characteristics

• Complementary to BTB1412LJ3

• Pb-free package

Symbol

Outline

BTD2118LJ3

TO-252

B：Base

C：Collector

E：Emitter

B C E

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

(Note 1)

PD(TA=25℃)

P^D(TC=25℃)

°C

Power Dissipation

150

-55~+150

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

≦

Note : 1. Single Pulse Pw 350µs, Duty 2%.

BTD2118LJ3

CYStek Product Specification

12 3 4 5

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