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BTD2150AE3

更新时间： 2024-01-11 06:12:43

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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5页	161K
描述
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

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BTD2150AE3 数据手册

Spec. No. : C848E3

Issued Date : 2004.07.06

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/5

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

BTD2150AE3

Features

• Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 2A / 50mA

• Excellent current gain characteristics

• Complementary to BTB1424AE3

Symbol

Outline

BTD2150AE3

TO-220AB

B：Base

C：Collector

E：Emitter

B C E

Limits

Absolute Maximum Ratings ^(Ta=25^°^C)

Parameter

Symbol

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Base Current

I^CP

7 (Note)

I^B

1.8

Power Dissipation (T^A=25℃)

Power Dissipation (T^C=25℃)

Junction Temperature

Storage Temperature

P^D

150

-55~+150

Tstg

°C

Note : Pulse test, pulse width≤380µs, duty cycle≤2%.

BTD2150AE3

CYStek Product Specification

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