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BTD2150A3

更新时间： 2024-02-23 22:44:57

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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描述
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

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BTD2150A3 数据手册

Spec. No. : C848A3

Issued Date : 2005.02.04

Revised Date :2005.06.03

Page No. : 1/5

CYStech Electronics Corp.

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

BTD2150A3

Features

• Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 100mA

0.1V at IC / IB = 1A / 50mA

• Excellent current gain characteristics

• Complementary to BTB1424A3

• Pb-free package

Symbol

Outline

BTD2150A3

TO-92

B：Base

C：Collector

E：Emitter

E C B

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

VCEO

VEBO

IC(DC)

I^C(Pulse)

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

750

150

(Note)

°C

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

-55~+150

°C

≦

Note : *1. Single Pulse Pw 350µs,Duty 2%.

BTD2150A3

CYStek Product Specification

12 3 4 5

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