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BTD2118J3

更新时间： 2024-02-01 14:47:38

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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4页	151K
描述
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

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BTD2118J3 数据手册

Spec. No. : C847J3

Issued Date : 2003.03.26

Revised Date :2004.07.02

Page No. : 1/4

CYStech Electronics Corp.

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

BTD2118J3

Features

• Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 4A / 0.1A

• Excellent current gain characteristics

• Complementary to BTB1412J3

Symbol

Outline

BTD2118J3

TO-252

B C E

Limits

B：Base

C：Collector

E：Emitter

Absolute Maximum Ratings ^(Ta=25^°^C)

Parameter

Symbol

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V^CBO

V^CEO

V^EBO

Collector Current(DC)

Collector Current(Pulse)

Power Dissipation(T^A=25℃)

I^C

I^CP

Pd(T^A=25℃)

Power Dissipation(T^C=25℃)

Junction Temperature

Storage Temperature

Pd(T^C=25℃)

150

-55~+150

Tstg

°C

≦

Note : *1. Single Pulse , Pw 380µs,Duty 2%.

*2. When mounted on a 40*40*0.7mm ceramic board.

BTD2118J3

CYStek Product Specification

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