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BTD2098N3

更新时间： 2024-01-19 09:07:32

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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描述
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

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BTD2098N3 数据手册

Spec. No. : C847N3

Issued Date : 2003.07.02

Revised Date :2004.07.01

Page No. : 1/4

CYStech Electronics Corp.

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

BTD2098N3

Features

• Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A

• Excellent DC current gain characteristics

• Complementary to BTB1386N3

Symbol

Outline

BTD2098N3

SOT-23

B：Base

C：Collector

E：Emitter

Absolute Maximum Ratings ^(Ta=25^°^C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Power Dissipation

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

I^CP

225

(Note )

Thermal Resistance, Junction to Ambient

R^θJA

Tstg

556

150

-55~+150

°C/W

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

≦

Note : Single Pulse Pw 350µs, Duty 2%.

BTD2098N3

CYStek Product Specification

12 3 4

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