5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ035N03LS G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
|
| BSZ035N03LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-MOSFET |
|
| BSZ035N03MS G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
|
| BSZ035N03MSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
|
| BSZ035N03MSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSZ036NE2LS | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSZ036NE2LSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSZ037N06LS5 | INFINEON |
获取价格 |
N-通道功率MOSFET |
|
| BSZ039N06NS | INFINEON |
获取价格 |
With BSZ039N06NS OptiMOS™ 5 60V power MOSFET |
|
| BSZ040N04LS G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
