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BSZ019N03LSATMA1

更新时间: 2024-09-27 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 1354K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

BSZ019N03LSATMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:26 weeks风险等级:5.65
雪崩能效等级(Eas):150 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):22 A最大漏源导通电阻:0.0025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-PDSO-N3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSZ019N03LSATMA1 数据手册

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n-Channel Power MOSFET  
OptiMOS™  
BSZ019N03LS  
Data Sheet  
2.1, 2011-09-21  
Final  
Industrial & Multimarket  

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