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BSZ021N04LS6

更新时间： 2024-09-27 20:03:35

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	1521K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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BSZ021N04LS6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BSZ021N04LS6 数据手册

BSZ021N04LS6

MOSFET

OptiMOS^TM6ꢀPower-Transistor,ꢀ40ꢀV

TSDSON-8ꢀFL

(enlarged source interconnection)

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀsynchronousꢀapplication

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀ175ꢀ°Cꢀrated

S 1

S 2

S 3

G 4

8 D

7 D

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

6 D

5 D

V_DS

R_DS(on),max

I_D

2.1

mΩ

Q_oss

Q_G(0V..10V)

Q_G(0V..4.5V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TSDSON-8 FL

Marking

RelatedꢀLinks

BSZ021N04LS6

21N04L6

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-08-10

12 3 4 5 6 7...11

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