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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 外壳连接： | SUBSTRATE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 10 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A | 最大漏源导通电阻： | 120 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS84 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSS84 | ZETEX |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| BSS84 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) |
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| BSS84 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| BSS84 | CET |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| BSS84 | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS84 | ONSEMI |
获取价格 |
P沟道增强型场效应晶体管-50V，-0.13A，10Ω |
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| BSS84 | ROHM |
获取价格 |
BSS84在SOT-23封装中内置单Pch -60V -0.23A MOSFET和ESD保 |
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| BSS84 | PANJIT |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS84 | TI |
获取价格 |
130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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