5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.56 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.13 A | 最大漏源导通电阻： | 10 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BSS84,215 | NXP | BSS84 - P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin |
获取价格 |
|
| BSS84.215 | NXP | P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor |
获取价格 |
|
| BSS84/D87Z | TI | 130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
获取价格 |
|
| BSS84/DG | NXP | P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor |
获取价格 |
|
| BSS84/S62Z | TI | 130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
获取价格 |
|
| BSS84_1 | PANJIT | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
获取价格 |
|
深入解析CS8416引脚说明、参数、技术特点
TPA3116D2功放芯片参数详解、引脚说明
移位寄存器74HC165引脚说明、驱动程序示例解读
深入解析AD9833：DDS频率合成器的卓越性能与广泛应用
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
