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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.56 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.13 A | 最大漏源导通电阻： | 10 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 12 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS84,215 | NXP |
获取价格 |
BSS84 - P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin |
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| BSS84.215 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor |
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| BSS84/D87Z | TI |
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130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| BSS84/DG | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor |
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| BSS84/S62Z | TI |
获取价格 |
130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| BSS84_1 | PANJIT |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS84_10 | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS84_14 | PANJIT |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS84_15 | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS84_17 | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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