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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.65 |
| 外壳连接： | SUBSTRATE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 10 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A |
| 最大漏源导通电阻： | 120 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS83TRL | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 10V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS83TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 10V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS83TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 50 mA, 10 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Sig |
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| BSS84 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSS84 | ZETEX |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| BSS84 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) |
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| BSS84 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| BSS84 | CET |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| BSS84 | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS84 | ONSEMI |
获取价格 |
P沟道增强型场效应晶体管-50V，-0.13A，10Ω |
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