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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.56 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.83 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BS170-A | DIODES |
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300mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| BS170AMO | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-92 |
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| BS170B | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BS170D10Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BS170D11Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BS170-D26Z | ONSEMI |
获取价格 |
单N沟道小信号MOSFET，60V，500mA，5Ω |
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| BS170-D27Z | ONSEMI |
获取价格 |
单N沟道小信号MOSFET，60V，500mA，5Ω |
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| BS170D28Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BS170D29Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BS170-D74Z | ONSEMI |
获取价格 |
单N沟道小信号MOSFET，60V，500mA，5Ω |
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