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BS170D28Z

更新时间： 2024-11-16 20:53:51

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1256K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92, 3 PIN

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BS170D28Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	10 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BS170D28Z 数据手册

March 2009

BS170 / MMBF170

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features

General Description

These N-Channel enhancement mode field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high

cell density, DMOS technology. These products have been

designed to minimize on-state resistance while provide

rugged, reliable, and fast switching performance. They can

be used in most applications requiring up to 500mA DC.

These products are particularly suited for low voltage, low

current applications such as small servo motor control,

power MOSFET gate drivers, and other switching

applications.

■ High density cell design for low R_DS(ON)

■ Voltage controlled small signal switch.

■ Rugged and reliable.

■ High saturation current capability.

TO - 92

SOT - 23

Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

BS170

MMBF170

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

V_DGR

V_GSS

I_D

Drain-Gate Voltage (R_GS≤ 1MΩ)

Gate-Source Voltage

± 20

Drain Current - Continuous

- Pulsed

500

800

1200

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

- 55 to 150

300

°C

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds

Thermal Characteristics T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

BS170

MMBF170

Units

P_D

Maximum Power Dissipation

Derate above 25°C

830

6.6

300

2.4

mW/°C

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

150

417

°C/W

BS170 / MMBF170 Rev. E1

www.fairchildsemi.com

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与BS170D28Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BS170D29Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170-D74Z	ONSEMI	获取价格	单N沟道小信号MOSFET，60V，500mA，5Ω
BS170-D75Z	ONSEMI	获取价格	单N沟道小信号MOSFET，60V，500mA，5Ω
BS170D81Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170D89Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170E6288	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170F	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BS170FTA	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BS170FTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BS170FTA	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

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