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BS170F

更新时间： 2024-11-17 14:54:51

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美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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BS170F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	6.92
Samacsys Description：	DMOS FET	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.00015 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BS170F 数据手册

BS170F

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Features and Benefits



V_DS= 60V

R_DS(ON)= 5

For automotive applications requiring specific change

control (i.e. parts qualified to AEC-Q101, PPAP capable, and

manufactured in IATF 16949 certified facilities), please



https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

Maximum Ratings (@T_A= +25°C, unless otherwise specified.)

Characteristic

Symbol

VDS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

0.15

Continuous Drain Current at T_A= +25°C

Pulsed Drain Current

IDM

Gate Source Voltage

VGS

20

330

°C

Power Dissipation at T_A= +25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_TOT

T_J,T_STG

-55 to +150

Electrical Characteristics (@T_A= +25°C, unless otherwise specified.)

Characteristic

Drain-Source Breakdown Voltage

Gate-Source Threshold Voltage

Gate-Body Leakage

Symbol

BV_DSS

V_GS(TH)

I_GSS

Min

Typ

—

Max

—

Unit

Test Condition

I_D= 100A, V_GS= 0V

I_D= 1mA, V_DS= V_GS

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= 25V, V_GS= 0V

0.8

—

Zero Gate Voltage Drain Current

—

0.5

A

I_DSS

Static Drain-Source On-State Resistance

Ω

R_DS(ON)

g_fs

V_GS= 10V, I_D= 200mA

V_DS= 10V, I_D= 200mA

Forward Transconductance

(Note 1) (Note 2)

—

200

—

V_DS= 10V, V_GS= 0V,

f = 1.0MHz

Input Capacitance (Note 2)

C_iss

Turn-On Delay Time (Note 2) (Note 3)

Turn-Off Delay Time (Note 2) (Note 3)

—

t_D(ON)

V_DD -15V, I_D= 600mA

t_D(OFF)

Notes:

1. Measured under pulsed conditions. Width = 300s. Duty cycle 2%.

2. Sample test.

3. Switching times measured with 50source impedance and <5ns rise time on a pulse generator.

Spice parameter data is available upon request for this device.

For typical characteristics graphs refer to ZVN3306F datasheet.

1 of 2

www.diodes.com

October 2019

BS170F

Document number: DS42355 Rev. 1 - 2

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与BS170F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BS170FTA	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BS170FTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BS170FTA	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
BS170FTC	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BS170G	ONSEMI	获取价格	Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET
BS170J05Z	TI	获取价格	500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
BS170J05Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BS170J18Z	TI	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose S
BS170-J18Z	TI	获取价格	500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
BS170J35Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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