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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 0.58 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.83 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BS170D28Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BS170D29Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BS170-D74Z | ONSEMI |
获取价格 |
单N沟道小信号MOSFET，60V，500mA，5Ω |
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| BS170-D75Z | ONSEMI |
获取价格 |
单N沟道小信号MOSFET，60V，500mA，5Ω |
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| BS170D81Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BS170D89Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BS170E6288 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BS170F | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BS170FTA | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| BS170FTA | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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