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BLF147

更新时间: 2024-11-17 22:27:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 88K
描述
VHF power MOS transistor

BLF147 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.66
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 V最大漏极电流 (Abs) (ID):25 A
最大漏极电流 (ID):25 A最大漏源导通电阻:0.15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRFM-F4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:220 W最大功率耗散 (Abs):220 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLF147 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF147  
VHF power MOS transistor  
September 1992  
Product specification  

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