5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLF1820-70 | NXP |
获取价格 |
UHF power LDMOS transistor |
|
| BLF1820-90 | NXP |
获取价格 |
UHF power LDMOS transistor |
|
| BLF1820-90,112 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, FM-2, FET RF Power |
|
| BLF1822-10 | NXP |
获取价格 |
UHF power LDMOS transistor |
|
| BLF1822-10,112 | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C |
|
| BLF182XR | NXP |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR |
|
| BLF182XRS | NXP |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR |
|
| BLF182XRSU | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B |
|
| BLF182XRU | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B |
|
| BLF183XRSU | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
