是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
子类别: | FET General Purpose Power | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLF1820-70 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor | |
BLF1820-90 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor | |
BLF1820-90,112 | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, FM-2, FET RF Power | |
BLF1822-10 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor | |
BLF1822-10,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C | |
BLF182XR | NXP |
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RF POWER TRANSISTOR | |
BLF182XRS | NXP |
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RF POWER TRANSISTOR | |
BLF182XRSU | ETC |
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RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B | |
BLF182XRU | ETC |
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RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B | |
BLF183XRSU | ETC |
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RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B |