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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CERAMIC, FM-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLF1820-90 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor |
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| BLF1820-90,112 | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, FM-2, FET RF Power |
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| BLF1822-10 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor |
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| BLF1822-10,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C |
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| BLF182XR | NXP |
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RF POWER TRANSISTOR |
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| BLF182XRS | NXP |
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RF POWER TRANSISTOR |
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| BLF182XRSU | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B |
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| BLF182XRU | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B |
|
| BLF183XRSU | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B |
|
| BLF184XR | NXP |
获取价格 |
Power LDMOS transistor |
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