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BLF175,112

更新时间： 2024-11-20 20:37:59

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BLF175,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SOT-123A, 4 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.75	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	125 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	68 W	最大功率耗散 (Abs)：	68 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D065

BLF175

HF/VHF power MOS transistor

Product speciﬁcation

2003 Jul 22

Supersedes data of 1997 Dec 15

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF148A	MACOM	功能相似	Linear RF Power MOSFET 30W, to 175MHz, 50V
SD2918	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF175_15	JMNIC	获取价格	HF/VHF power MOS transistor
BLF175_2015	JMNIC	获取价格	HF/VHF power MOS transistor
BLF177	NXP	获取价格	HF/VHF power MOS transistor
BLF177	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 125V 16A 4-Pin CRFM
BLF177_15	JMNIC	获取价格	HF/VHF power MOS transistor
BLF177_2015	JMNIC	获取价格	HF/VHF power MOS transistor
BLF178P	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BLF178P,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A
BLF178XR	NXP	获取价格	Power LDMOS transistor
BLF178XR(S)	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition